MEMORIA 4 GB DDR4/2666 KINGSTON KVR26N19S6/4

Capacidade: 4GB
Frequência de operação: DDR4 2666Mhz
288-Pin DIMM
CL (IDD): 19 ciclos
Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)
Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)
Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)
Potência Máxima de Operação – TBD W*
Classificação UL 94 V - 0
Temperatura de operação – 0oC a +85oC
Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC
*A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM

Características / Benefícios:
Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico
VDDQ = 1,2V Típico
VPP = 2.5V Típico
VDDSPD = 2,2V a 3,6V
Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara
Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
Geração e calibração VREFDQ no DIE
Single Rank
EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)
BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)
Topologia fly-by
Comando de controle e barramento de endereços com terminação
PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
Em conformidade com RoHS e sem halogênios